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FGD3N60UNDF

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: FGD3N60UNDF
説明: IGBT 600V 6A 60W DPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ NPT
包装 Digi-Reel®
入力タイプ Standard
門電荷 1.6nC
部地位 Active
-マックス 60W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
実験条件 400V, 3A, 10Ohm, 15V
ベース部材番号 FGD3N60
スイッチングエネルギー 52µJ (on), 30µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 5.5ns/22ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-252, (D-Pak)
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.52V @ 15V, 3A
反転回復時間(trr) 21ns
現在-コレクター・Ic (Max) 6A
現在-コレクターピン(Icm) 9A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

在庫が 1900 pcs

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