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FGD5T120SH

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: FGD5T120SH
説明: IGBT 1200V 5A FS3 DPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
包装 Cut Tape (CT)
入力タイプ Standard
門電荷 6.7nC
部地位 Active
-マックス 69W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
実験条件 600V, 5A, 30Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 247µJ (on), 94µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 4.8ns/24.8ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ DPAK
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 5A
現在-コレクター・Ic (Max) 10A
現在-コレクターピン(Icm) 12.5A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

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