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FGL60N100BNTD

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: FGL60N100BNTD
説明: IGBT 1000V 60A 180W TO264
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ NPT and Trench
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 275nC
部地位 Not For New Designs
-マックス 180W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-264-3, TO-264AA
実験条件 600V, 60A, 51Ohm, 15V
スイッチングエネルギー -
td (on / off) @ 25°c 140ns/630ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-264-3
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A
反転回復時間(trr) 1.2µs
現在-コレクター・Ic (Max) 60A
現在-コレクターピン(Icm) 120A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1000V

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