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FGY160T65SPD-F085

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: FGY160T65SPD-F085
説明: 650V FS GEN3 TRENCH IGBT
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ Automotive, AEC-Q101
igbtタイプ Trench Field Stop
包装 Tube
入力タイプ Standard
部地位 Active
-マックス 882W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
実験条件 400V, 160A, 15V
スイッチングエネルギー 12.4mJ (on), 5.7mJ (off)
td (on / off) @ 25°c 53ns/98ns
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-247
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 160A
反転回復時間(trr) 132ns
現在-コレクター・Ic (Max) 240A
現在-コレクターピン(Icm) 480A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 650V

在庫が 426 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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