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FGY60T120SQDN
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
| データシート: | FGY60T120SQDN |
| 説明: | IGBT 1200V 60A UFS |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
| シリーズ | - |
| igbtタイプ | - |
| 包装 | Tube |
| 入力タイプ | Standard |
| 門電荷 | 311nC |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 517W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-247-3 |
| 実験条件 | 600V, 60A, 10Ohm, 15V |
| スイッチングエネルギー | - |
| td (on / off) @ 25°c | 52ns/296ns |
| 作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-247-3 |
| v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 60A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 120A |
| 現在-コレクターピン(Icm) | 240A |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 1200V |
在庫が 450 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $8.47 | $8.30 | $8.13 |
最小: 1
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