FGY75T120SQDN
メーカー: | ON Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
データシート: | FGY75T120SQDN |
説明: | IGBT 1200V 75A UFS |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ON Semiconductor |
対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
シリーズ | - |
igbtタイプ | Field Stop |
包装 | Tube |
入力タイプ | Standard |
門電荷 | 399nC |
部地位 | Active |
-マックス | 790W |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | TO-247-3 |
実験条件 | 600V, 75A, 10Ohm, 15V |
スイッチングエネルギー | 6.25mJ (on), 1.96mJ (off) |
td (on / off) @ 25°c | 64ns/332ns |
作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
サプライヤー装置パッケージ | TO-247-3 |
v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 75A |
反転回復時間(trr) | 99ns |
現在-コレクター・Ic (Max) | 150A |
現在-コレクターピン(Icm) | 300A |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 1200V |
在庫が 55 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$8.04 | $7.88 | $7.72 |
最小: 1