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FJBE2150DTU

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: FJBE2150DTU
説明: TRANS NPN 800V 2A D2-PAK-2L
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ ESBC™
包装 Tube
部地位 Obsolete
-マックス 110W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
トランジスタタイプ NPN
作動温度 -55°C ~ 125°C (TJ)
周波数-遷移 5MHz
サプライヤー装置パッケージ D²PAK (TO-263)
vイス(Max) @ Ib、Ic 250mV @ 330mA, 1A
現在-コレクター・Ic (Max) 2A
トラッキング・キュートフ(マックス) 100µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 20 @ 400mA, 3V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 800V

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