画像は参考までに、仕様書を参照してください

FJN4307RTA

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート: FJN4307RTA
説明: TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Tape & Box (TB)
部地位 Obsolete
-マックス 300mW
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
トランジスタタイプ PNP - Pre-Biased
抵抗基地(R1) 22 kOhms
周波数-遷移 200MHz
サプライヤー装置パッケージ TO-92-3
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 47 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 500µA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 68 @ 5mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

在庫が 61 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

FJN4308RBU
ON Semiconductor
$0
FJN4314RBU
ON Semiconductor
$0
FJN4312RBU
ON Semiconductor
$0
FJN4313RBU
ON Semiconductor
$0
FJN4311RTA
ON Semiconductor
$0