FJNS3207RBU
メーカー: | ON Semiconductor |
---|---|
対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
データシート: | FJNS3207RBU |
説明: | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
---|---|
メーカー | ON Semiconductor |
対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
シリーズ | - |
包装 | Bulk |
部地位 | Obsolete |
-マックス | 300mW |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
トランジスタタイプ | NPN - Pre-Biased |
抵抗基地(R1) | 22 kOhms |
周波数-遷移 | 250MHz |
サプライヤー装置パッケージ | TO-92S |
抵抗器−送信機基地(R2−R2) | 47 kOhms |
vイス(Max) @ Ib、Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
現在-コレクター・Ic (Max) | 100mA |
トラッキング・キュートフ(マックス) | 100nA (ICBO) |
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 68 @ 5mA, 5V |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 50V |
在庫が 83 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1