画像は参考までに、仕様書を参照してください
FJV3111RMTF
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| データシート: | FJV3111RMTF |
| 説明: | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 200mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| トランジスタタイプ | NPN - Pre-Biased |
| 抵抗基地(R1) | 22 kOhms |
| 周波数-遷移 | 250MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | SOT-23-3 (TO-236) |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 100mA |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 100nA (ICBO) |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 40V |
在庫が 84 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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