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FJY3014R

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート: FJY3014R
説明: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Cut Tape (CT)
部地位 Obsolete
-マックス 200mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-89, SOT-490
トランジスタタイプ NPN - Pre-Biased
ベース部材番号 FJY3014
抵抗基地(R1) 4.7 kOhms
周波数-遷移 250MHz
サプライヤー装置パッケージ SOT-523F
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 47 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 500µA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 68 @ 5mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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