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FQA7N80C-F109

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: FQA7N80C-F109
説明: MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ QFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-3P-3, SC-65-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
電力放蕩(マックス) 198W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-3PN
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 800V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1680pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 7A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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