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FQD12N20TM_F080

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	FQD12N20TM_F080
説明:	MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	QFET®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	280mOhm @ 4.5A, 10V
電力放蕩(マックス)	2.5W (Ta), 55W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	D-Pak
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	910pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	9A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V