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FQI7N80TU

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	FQI7N80TU
説明:	MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	QFET®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	1.5Ohm @ 3.3A, 10V
電力放蕩(マックス)	3.13W (Ta), 167W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	I2PAK (TO-262)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	800V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1850pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	6.6A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V