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FSB660

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: FSB660
説明: TRANS PNP 60V 2A SSOT-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Obsolete
-マックス 500mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
トランジスタタイプ PNP
ベース部材番号 FSB660
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移 75MHz
サプライヤー装置パッケージ 3-SSOT
vイス(Max) @ Ib、Ic 350mV @ 200mA, 2A
現在-コレクター・Ic (Max) 2A
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 100 @ 500mA, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 60V

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