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H11G2VM

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
データシート: H11G2VM
説明: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
シリーズ -
包装 Tube
入力タイプ DC
出力種別 Darlington with Base
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 6-DIP (0.300", 7.62mm)
チャネル数 1
電圧-孤立 4170Vrms
vce|UNK|UNK|UNK飽和max 1V
作動温度 -40°C ~ 100°C
流行の季節(Typ) -
電圧-出力(最大) 80V
サプライヤー装置パッケージ 6-DIP
电流-アウトプット/チャネル -
現在の移籍比率(Max−1) -
現在の移籍率(Min) 1000% @ 10mA
電圧-順方向(Vf) (Typ) 1.3V
消灯時間(Typ) 5µs, 100µs
现在- DCフォワード(If)(マックス) 60mA

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