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H11G3M
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output |
| データシート: | H11G3M |
| 説明: | OPTOISO 7.5KV DARL W/BASE 6DIP |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tube |
| 入力タイプ | DC |
| 出力種別 | Darlington with Base |
| 部地位 | Obsolete |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| チャネル数 | 1 |
| 電圧-孤立 | 7500Vpk |
| vce|UNK|UNK|UNK飽和max | 1.2V |
| 作動温度 | -40°C ~ 100°C |
| 流行の季節(Typ) | - |
| 電圧-出力(最大) | 55V |
| サプライヤー装置パッケージ | 6-DIP |
| 电流-アウトプット/チャネル | - |
| 現在の移籍比率(Max−1) | - |
| 現在の移籍率(Min) | 200% @ 1mA |
| 電圧-順方向(Vf) (Typ) | 1.3V |
| 消灯時間(Typ) | 5µs, 100µs |
| 现在- DCフォワード(If)(マックス) | 60mA |
