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HGT1S12N60A4DS

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: HGT1S12N60A4DS
説明: IGBT 600V 54A 167W D2PAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ -
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 78nC
部地位 Not For New Designs
-マックス 167W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
実験条件 390V, 12A, 10Ohm, 15V
ベース部材番号 HGT1S12N60
スイッチングエネルギー 55µJ (on), 50µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 17ns/96ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-263AB
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A
反転回復時間(trr) 30ns
現在-コレクター・Ic (Max) 54A
現在-コレクターピン(Icm) 96A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

在庫が 85 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.27 $3.20 $3.14
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