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HGT1S20N36G3VL

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: HGT1S20N36G3VL
説明: IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ -
包装 Tube
入力タイプ Logic
門電荷 28.7nC
部地位 Obsolete
-マックス 150W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
実験条件 300V, 10A, 25Ohm, 5V
スイッチングエネルギー -
td (on / off) @ 25°c -/15µs
作動温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ I2PAK (TO-262)
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 5V, 20A
現在-コレクター・Ic (Max) 37.7A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 395V

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