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HGT1S7N60C3DS9A

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: HGT1S7N60C3DS9A
説明: IGBT 600V 14A 60W TO263AB
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ -
包装 Tape & Reel (TR)
入力タイプ Standard
門電荷 23nC
部地位 Obsolete
-マックス 60W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
実験条件 480V, 7A, 50Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 165µJ (on), 600µJ (off)
td (on / off) @ 25°c -
作動温度 -
サプライヤー装置パッケージ TO-263AB
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 7A
反転回復時間(trr) 37ns
現在-コレクター・Ic (Max) 14A
現在-コレクターピン(Icm) 56A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

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