HGTD1N120BNS9A
メーカー: | ON Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
データシート: | HGTD1N120BNS9A |
説明: | IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ON Semiconductor |
対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
シリーズ | - |
igbtタイプ | NPT |
包装 | Digi-Reel® |
入力タイプ | Standard |
門電荷 | 14nC |
部地位 | Active |
-マックス | 60W |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
実験条件 | 960V, 1A, 82Ohm, 15V |
ベース部材番号 | HGTD1N120 |
スイッチングエネルギー | 70µJ (on), 90µJ (off) |
td (on / off) @ 25°c | 15ns/67ns |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
サプライヤー装置パッケージ | TO-252AA |
v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 1A |
現在-コレクター・Ic (Max) | 5.3A |
現在-コレクターピン(Icm) | 6A |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 1200V |
在庫が 5344 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1