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HGTD1N120BNS9A

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: HGTD1N120BNS9A
説明: IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ NPT
包装 Digi-Reel®
入力タイプ Standard
門電荷 14nC
部地位 Active
-マックス 60W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
実験条件 960V, 1A, 82Ohm, 15V
ベース部材番号 HGTD1N120
スイッチングエネルギー 70µJ (on), 90µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 15ns/67ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-252AA
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 1A
現在-コレクター・Ic (Max) 5.3A
現在-コレクターピン(Icm) 6A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

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