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HGTG18N120BND

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: HGTG18N120BND
説明: IGBT 1200V 54A 390W TO247
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ NPT
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 165nC
部地位 Active
-マックス 390W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
実験条件 960V, 18A, 3Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 1.9mJ (on), 1.8mJ (off)
td (on / off) @ 25°c 23ns/170ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-247-3
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 18A
反転回復時間(trr) 75ns
現在-コレクター・Ic (Max) 54A
現在-コレクターピン(Icm) 160A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

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