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HGTG30N60A4D

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: HGTG30N60A4D
説明: IGBT 600V 75A 463W TO247
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ -
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 225nC
部地位 Not For New Designs
-マックス 463W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
実験条件 390V, 30A, 3Ohm, 15V
ベース部材番号 HGTG30N60
スイッチングエネルギー 280µJ (on), 240µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 25ns/150ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-247-3
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 30A
反転回復時間(trr) 55ns
現在-コレクター・Ic (Max) 75A
現在-コレクターピン(Icm) 240A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

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