HGTG30N60C3D
メーカー: | ON Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
データシート: | HGTG30N60C3D |
説明: | IGBT 600V 63A 208W TO247 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ON Semiconductor |
対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
シリーズ | - |
igbtタイプ | - |
包装 | Tube |
入力タイプ | Standard |
門電荷 | 162nC |
部地位 | Not For New Designs |
-マックス | 208W |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | TO-247-3 |
実験条件 | - |
ベース部材番号 | HGTG30N60 |
スイッチングエネルギー | 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) |
td (on / off) @ 25°c | - |
作動温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
サプライヤー装置パッケージ | TO-247-3 |
v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 30A |
反転回復時間(trr) | 60ns |
現在-コレクター・Ic (Max) | 63A |
現在-コレクターピン(Icm) | 252A |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 600V |
在庫が 844 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$7.84 | $7.68 | $7.53 |
最小: 1