Image is for reference only , details as Specifications

HGTG5N120BND

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: HGTG5N120BND
説明: IGBT 1200V 21A 167W TO247
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ NPT
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 53nC
部地位 Not For New Designs
-マックス 167W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
実験条件 960V, 5A, 25Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 450µJ (on), 390µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 22ns/160ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-247-3
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 5A
反転回復時間(trr) 65ns
現在-コレクター・Ic (Max) 21A
現在-コレクターピン(Icm) 40A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 63 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.81 $2.75 $2.70
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

IXGT6N170A
IXYS
$11.47
STGW15H120F2
STMicroelectronics
$6.25
AFGB40T65SQDN
ON Semiconductor
$1.58
RGT40NL65DGTL
ROHM Semiconductor
$0
IRG4PC50SPBF
Infineon Technologies
$6.47