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HGTP10N120BN
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
| データシート: | HGTP10N120BN |
| 説明: | IGBT 1200V 35A 298W TO220AB |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
| シリーズ | - |
| igbtタイプ | NPT |
| 包装 | Tube |
| 入力タイプ | Standard |
| 門電荷 | 100nC |
| 部地位 | Not For New Designs |
| -マックス | 298W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-220-3 |
| 実験条件 | 960V, 10A, 10Ohm, 15V |
| スイッチングエネルギー | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| td (on / off) @ 25°c | 23ns/165ns |
| 作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-220-3 |
| v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 35A |
| 現在-コレクターピン(Icm) | 80A |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 1200V |
在庫が 63 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.77 | $1.73 | $1.70 |
最小: 1
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