HGTP12N60A4
メーカー: | ON Semiconductor |
---|---|
対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
データシート: | HGTP12N60A4 |
説明: | IGBT 600V 54A 167W TO220AB |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
---|---|
メーカー | ON Semiconductor |
対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
シリーズ | - |
igbtタイプ | - |
包装 | Tube |
入力タイプ | Standard |
門電荷 | 78nC |
部地位 | Obsolete |
-マックス | 167W |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | TO-220-3 |
実験条件 | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
ベース部材番号 | HGTP12N60 |
スイッチングエネルギー | 55µJ (on), 50µJ (off) |
td (on / off) @ 25°c | 17ns/96ns |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
サプライヤー装置パッケージ | TO-220-3 |
v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A |
現在-コレクター・Ic (Max) | 54A |
現在-コレクターピン(Icm) | 96A |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 600V |
在庫が 78 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1