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HGTP12N60C3D

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: HGTP12N60C3D
説明: IGBT 600V 24A 104W TO220AB
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ -
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 48nC
部地位 Not For New Designs
-マックス 104W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3
実験条件 -
ベース部材番号 HGTP12N60
スイッチングエネルギー 380µJ (on), 900µJ (off)
td (on / off) @ 25°c -
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-220-3
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A
反転回復時間(trr) 40ns
現在-コレクター・Ic (Max) 24A
現在-コレクターピン(Icm) 96A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

在庫が 67 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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