HGTP12N60C3D
メーカー: | ON Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
データシート: | HGTP12N60C3D |
説明: | IGBT 600V 24A 104W TO220AB |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ON Semiconductor |
対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
シリーズ | - |
igbtタイプ | - |
包装 | Tube |
入力タイプ | Standard |
門電荷 | 48nC |
部地位 | Not For New Designs |
-マックス | 104W |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | TO-220-3 |
実験条件 | - |
ベース部材番号 | HGTP12N60 |
スイッチングエネルギー | 380µJ (on), 900µJ (off) |
td (on / off) @ 25°c | - |
作動温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
サプライヤー装置パッケージ | TO-220-3 |
v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 15A |
反転回復時間(trr) | 40ns |
現在-コレクター・Ic (Max) | 24A |
現在-コレクターピン(Icm) | 96A |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 600V |
在庫が 67 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$3.87 | $3.79 | $3.72 |
最小: 1