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HGTP20N60A4

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: HGTP20N60A4
説明: IGBT 600V 70A 290W TO220AB
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ -
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 142nC
部地位 Not For New Designs
-マックス 290W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3
実験条件 390V, 20A, 3Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 105µJ (on), 150µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 15ns/73ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-220-3
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 20A
現在-コレクター・Ic (Max) 70A
現在-コレクターピン(Icm) 280A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

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