画像は参考までに、仕様書を参照してください
HGTP3N60A4
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
| データシート: | HGTP3N60A4 |
| 説明: | IGBT 600V 17A 70W TO220AB |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
| シリーズ | - |
| igbtタイプ | - |
| 包装 | Tube |
| 入力タイプ | Standard |
| 門電荷 | 21nC |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 70W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-220-3 |
| 実験条件 | 390V, 3A, 50Ohm, 15V |
| スイッチングエネルギー | 37µJ (on), 25µJ (off) |
| td (on / off) @ 25°c | 6ns/73ns |
| 作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-220-3 |
| v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 3A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 17A |
| 現在-コレクターピン(Icm) | 40A |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 600V |
在庫が 81 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.30 | $1.27 | $1.25 |
最小: 1
要求引用
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