Image is for reference only , details as Specifications
KSD2012GTU
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | KSD2012GTU |
| 説明: | TRANS NPN 60V 3A TO-220F |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tube |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 25W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-220-3 Full Pack |
| トランジスタタイプ | NPN |
| 作動温度 | 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 3MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-220F |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 1V @ 200mA, 2A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 3A |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 100µA (ICBO) |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 150 @ 500mA, 5V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 60V |
