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KSD363YTU
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | KSD363YTU |
| 説明: | TRANS NPN 120V 6A TO-220 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tube |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 40W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-220-3 |
| トランジスタタイプ | NPN |
| ベース部材番号 | KSD363 |
| 作動温度 | 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 10MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-220-3 |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 1V @ 100mA, 1A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 6A |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 1mA (ICBO) |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 120 @ 1A, 5V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 120V |
在庫が 67 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.41 | $0.40 | $0.39 |
最小: 1
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