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MJ11016G
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | MJ11016G |
| 説明: | TRANS NPN DARL 120V 30A TO3 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tray |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 200W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-204AA, TO-3 |
| トランジスタタイプ | NPN - Darlington |
| 作動温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 4MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-204 (TO-3) |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 4V @ 300mA, 30A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 30A |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 1mA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 1000 @ 20A, 5V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 120V |
