MJ14001G
メーカー: | ON Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
データシート: | MJ14001G |
説明: | TRANS PNP 60V 60A TO-3 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ON Semiconductor |
対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
シリーズ | - |
包装 | Tray |
部地位 | Obsolete |
-マックス | 300W |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | TO-204AE |
トランジスタタイプ | PNP |
作動温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
周波数-遷移 | - |
サプライヤー装置パッケージ | TO-3 |
vイス(Max) @ Ib、Ic | 3V @ 12A, 60A |
現在-コレクター・Ic (Max) | 60A |
トラッキング・キュートフ(マックス) | 1mA |
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 15 @ 50A, 3V |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 60V |