MJD112G
メーカー: | ON Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
データシート: | MJD112G |
説明: | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ON Semiconductor |
対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
シリーズ | - |
包装 | Tube |
部地位 | Active |
-マックス | 1.75W |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
トランジスタタイプ | NPN - Darlington |
ベース部材番号 | MJD112 |
作動温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
周波数-遷移 | 25MHz |
サプライヤー装置パッケージ | DPAK |
vイス(Max) @ Ib、Ic | 3V @ 40mA, 4A |
現在-コレクター・Ic (Max) | 2A |
トラッキング・キュートフ(マックス) | 20µA |
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 1000 @ 2A, 3V |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 100V |
在庫が 324 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.67 | $0.66 | $0.64 |
最小: 1