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MJD112G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: MJD112G
説明: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Tube
部地位 Active
-マックス 1.75W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
トランジスタタイプ NPN - Darlington
ベース部材番号 MJD112
作動温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移 25MHz
サプライヤー装置パッケージ DPAK
vイス(Max) @ Ib、Ic 3V @ 40mA, 4A
現在-コレクター・Ic (Max) 2A
トラッキング・キュートフ(マックス) 20µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 1000 @ 2A, 3V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 100V

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