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MJD2955-1G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: MJD2955-1G
説明: TRANS PNP 60V 10A IPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Tube
部地位 Obsolete
-マックス 1.75W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
トランジスタタイプ PNP
ベース部材番号 MJD2955
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移 2MHz
サプライヤー装置パッケージ I-PAK
vイス(Max) @ Ib、Ic 8V @ 3.3A, 10A
現在-コレクター・Ic (Max) 10A
トラッキング・キュートフ(マックス) 50µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 20 @ 4A, 4V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 60V

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