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MJD5731T4G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: MJD5731T4G
説明: TRANS PNP 350V 1A DPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 1.56W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
トランジスタタイプ PNP
ベース部材番号 MJD5731
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移 10MHz
サプライヤー装置パッケージ DPAK
vイス(Max) @ Ib、Ic 1V @ 200mA, 1A
現在-コレクター・Ic (Max) 1A
トラッキング・キュートフ(マックス) 100µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 30 @ 300mA, 10V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 350V

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