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MJE18008G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: MJE18008G
説明: TRANS NPN 450V 8A TO220AB
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ SWITCHMODE™
包装 Tube
部地位 Active
-マックス 125W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3
トランジスタタイプ NPN
作動温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移 13MHz
サプライヤー装置パッケージ TO-220AB
vイス(Max) @ Ib、Ic 700mV @ 900mA, 4.5V
現在-コレクター・Ic (Max) 8A
トラッキング・キュートフ(マックス) 100µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 14 @ 1A, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 450V

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