画像は参考までに、仕様書を参照してください
MJE5742G
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | MJE5742G |
| 説明: | TRANS NPN DARL 400V 8A TO220AB |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tube |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 2W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-220-3 |
| トランジスタタイプ | NPN - Darlington |
| 作動温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | - |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-220AB |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 3V @ 400mA, 8A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 8A |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | - |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 200 @ 2A, 5V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 400V |
