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MJE800STU
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | MJE800STU |
| 説明: | TRANS NPN DARL 60V 4A TO126 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tube |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 40W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-225AA, TO-126-3 |
| トランジスタタイプ | NPN - Darlington |
| ベース部材番号 | MJE800 |
| 作動温度 | 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | - |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-126-3 |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 2.5V @ 30mA, 1.5A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 4A |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 100µA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 750 @ 1.5A, 3V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 60V |
