画像は参考までに、仕様書を参照してください
MJE802G
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | MJE802G |
| 説明: | TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Bulk |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 40W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-225AA, TO-126-3 |
| トランジスタタイプ | NPN - Darlington |
| ベース部材番号 | MJE802 |
| 作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | - |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-225AA |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 2.5V @ 30mA, 1.5A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 4A |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 100µA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 750 @ 1.5A, 3V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 80V |
