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MJF6668G
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | MJF6668G |
| 説明: | TRANS PNP DARL 100V 10A TO220FP |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tube |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 2W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-220-3 Full Pack |
| トランジスタタイプ | PNP - Darlington |
| 作動温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | - |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-220FP |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 3V @ 100mA, 10A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 10A |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 10µA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 3000 @ 3A, 4V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 100V |
