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MMBT5551LT3G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: MMBT5551LT3G
説明: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 225mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
トランジスタタイプ NPN
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移 -
サプライヤー装置パッケージ SOT-23-3 (TO-236)
vイス(Max) @ Ib、Ic 200mV @ 5mA, 50mA
現在-コレクター・Ic (Max) 600mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 80 @ 10mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 160V

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