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MMBTA13LT1G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: MMBTA13LT1G
説明: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 225mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
トランジスタタイプ NPN - Darlington
ベース部材番号 MMBTA13
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移 125MHz
サプライヤー装置パッケージ SOT-23-3 (TO-236)
vイス(Max) @ Ib、Ic 1.5V @ 100µA, 100mA
現在-コレクター・Ic (Max) 300mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 10000 @ 100mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 30V

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