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NCV1413BDR2G

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
データシート:	NCV1413BDR2G
説明:	TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
シリーズ	-
包装	Tape & Reel (TR)
部地位	Active
-マックス	-
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
トランジスタタイプ	7 NPN Darlington
ベース部材番号	NCV1413
作動温度	150°C (TJ)
周波数-遷移	-
サプライヤー装置パッケージ	16-SOIC
vイス(Max) @ Ib、Ic	1.6V @ 500µA, 350mA
現在-コレクター・Ic (Max)	500mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	-
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	1000 @ 350mA, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V