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NDBA100N10BT4H

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: NDBA100N10BT4H
説明: MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
作動温度 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 6.9mOhm @ 50A, 15V
電力放蕩(マックス) 110W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ D²PAK (TO-263)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 2950pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 100A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V, 15V

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