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NDD01N60-1G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: NDD01N60-1G
説明: MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 50µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 8.5Ohm @ 200mA, 10V
電力放蕩(マックス) 46W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ I-PAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 1.5A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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