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NE5230DR2G
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps |
| データシート: | NE5230DR2G |
| 説明: | IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps |
| シリーズ | - |
| 包装 | Cut Tape (CT) |
| 率を斬って | 0.25V/µs |
| 出力種別 | Rail-to-Rail |
| 部地位 | Obsolete |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| アンプタイプ | General Purpose |
| パケット/場合 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ベース部材番号 | NE5230 |
| 現在-供給 | 1.1mA |
| 回路の数 | 1 |
| 入力バイアス | 40nA |
| 作動温度 | 0°C ~ 70°C |
| 利得帯域幅製品 | 600kHz |
| 電圧-オフセット値 | 400µV |
| サプライヤー装置パッケージ | 8-SOIC |
| 电流-アウトプット/チャネル | 32mA |
| 電圧-供給独身/デュアル(±) | 1.8V ~ 15V, ±0.9V ~ 7.5V |
在庫が 88 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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