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NGTB20N120IHRWG

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: NGTB20N120IHRWG
説明: IGBT 1200V 40A 384W TO247
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 225nC
部地位 Active
-マックス 384W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
実験条件 600V, 20A, 10Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 450µJ (off)
td (on / off) @ 25°c -/235ns
作動温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-247
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 20A
現在-コレクター・Ic (Max) 40A
現在-コレクターピン(Icm) 120A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

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