画像は参考までに、仕様書を参照してください

NGTB30N120L2WG

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: NGTB30N120L2WG
説明: IGBT 1200V 60A 534W TO247
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 310nC
部地位 Obsolete
-マックス 534W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
実験条件 600V, 30A, 10Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
td (on / off) @ 25°c 116ns/285ns
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-247
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
反転回復時間(trr) 450ns
現在-コレクター・Ic (Max) 60A
現在-コレクターピン(Icm) 120A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 55 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$8.80 $8.62 $8.45
最小: 1

要求引用

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